Infineon представляет силовые MOSFET OptiMOS™ 8 на 100 В, обеспечивающие высокую плотность мощности

31 августа 2026 года — компания Infineon Technologies AG официально выпустила технологию силовых MOSFET OptiMOS™ 8 на 100 В. Новое поколение приборов оптимизировано для применений с жёсткими требованиями к сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)), включая управление двигателями, защиту аккумуляторов и резервные батарейные блоки (BBU) для ИИ-центров обработки данных.

По сравнению с предыдущим поколением OptiMOS™ 5 новые изделия демонстрируют снижение RDS(on) до 44%, что позволяет увеличить пиковый выходной ток в инверторах для двигателей на 18%, а также удовлетворить самые высокие требования к плотности мощности в BBU-системах ИИ-центров обработки данных. Приборы имеют строгую спецификацию ΔVGS(th) менее 0,8 В в сочетании с низкой крутизной характеристики, что обеспечивает отличное распределение токов при параллельном включении нескольких транзисторов, повышая надёжность системы и тепловые характеристики.

Серия OptiMOS™ 8 на 100 В предлагает различные варианты корпусов, включая TOLL с медными зажимами и SuperSO8 5x6, что позволяет сочетать высокую токовую нагрузку с компактным дизайном и помогает инженерам добиваться более эффективного преобразования мощности в ограниченном пространстве. Данная технология укрепляет лидирующие позиции Infineon в сегменте силовых полупроводников среднего и низкого напряжения, предлагая решения, сочетающие производительность и экономическую эффективность для таких рынков, как промышленные приводы, серверные источники питания и системы накопления энергии. Образцы и оценочные платы доступны для заказа с сегодняшнего дня.